一种GaN HEMT器件的寄生电容放电损耗的检测电路.pdfVIP

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2024-03-27 发布于四川
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一种GaN HEMT器件的寄生电容放电损耗的检测电路.pdf

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本实用新型提供一种GaNHEMT器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于包括供电电源、一系列并联的电容值为0.5pf‑100pf的电容组、由一组串联电阻构成的分压电路和运算放大器LM324PW组成的电压检测单元、电流检测电路以及控制电容并联进电路和从电路断开的单片机控制单元；本实用新型可在GaNHEMT的寄生电容随着电压而变化时，通过电压检测单元测得寄生电容两端电压并根据C‑V曲线获得此电压等级下Cds的电容值，并由MCU单元控制与其相等的电容并入电路并由电流检测电路获得其放电电流Ios

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220671574U

(45)授权公告日2024.03.26

(21)申请号202321948997.4

(22)申请日2023.07.24

(73)专利权人天津工业大学

地址30000

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