原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请公开了一种降低氮化物半导体材料中氢杂质浓度的外延方法，将衬底转移到金属有机物化学气相沉积设备中，依次生长成核层、缓冲层、有源层、p型层和氮化硅保护层；在氮气气氛下进行高温原位退火，激活p型层；高退火温度可以降低氮化物半导体材料中氢杂质浓度，增加受主Mg的激活效率，提升p型层空穴浓度；同时SiN保护层可以抑制氮化物材料在高温退火过程中分解，获得平整的外延材料表面；SiN保护层可以采用湿法腐蚀或者干法刻蚀技术进行去除。将MOCVD原位生长SiN保护层应用到受主Mg高温退火激活，该方法简单易行，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790624A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311748606.9
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人中国电子科技集团公司第五十五研
文档评论（0）