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双栅互补型薄膜晶体管及其制备方法.pdfVIP

双栅互补型薄膜晶体管及其制备方法.pdf

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    本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管，可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括：N型薄膜晶体管，包括：第一底栅结构，N型半导体层，第一源极，第一漏极和第一顶栅结构；第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体层的两侧；N型半导体层的材料包括铟镓锌氧化物；P型薄膜晶体管，包括：第二底栅结构，P型半导体层，第二源极，第二漏极和第二顶栅结构；第二源极和第二漏极分别设置于P型半导体层的两侧；P型半导体层的材料包括铟硒氧化物。本公开还提供了一种双栅互补型薄膜晶体管的制备方法。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790514A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311841030.0

    (22)申请日2023.12.28

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

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