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半导体分立器件和集成电路装调工试题库

1.用来做芯片的高纯硅被称为(半导体级硅),英文简称(GSG),有时

也被称为(电子级硅)。

2.单晶硅生长常用(CZ法)和(区熔法)两种生长方式，生长后的单

晶硅被称为(硅锭)。

3.晶圆的英文是(wafer),其常用的材料是(硅)和(锗)。

4.晶圆制备的九个工艺步骤分别是(单晶生长)、整型、(切片)、磨

片倒角、刻蚀、(抛光)、清洗、检查和包装。

5.从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是

(100)、(110)

6.CZ直拉法生长单晶硅是把(融化了的半导体级硅液体)变为(有

正确晶向的)并且(被掺杂成p型或n型)的固体硅锭。

7.CZ直拉法的目的是(实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,

得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中)。影响CZ直拉法的两

个主要参数是(拉伸速.率)和(晶体旋转速率)。

8.晶圆制备中的整型处理包括(去掉两端)、(径向研磨)和(硅片定

位边和定位槽)。

9.制备半导体级硅的过程:1(制备工业硅);2(生长硅单晶);3(提纯)。

10.二氧化硅按结构可分为(结晶型)和(非结晶型)或(不定型)。

11.热氧化工艺的基本设备有三种:(卧式炉)、(立式炉)和(快速热

处理炉)。

12.根据氧化剂的不同，热氧化可分为(千氧氧化)、(湿氧氧化)

和(水汽氧化)。

13.用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分:(工艺腔)、

(硅片传输系统)、气体分配系统、尾气系统和(温控系统)。

14.选择性氧化常见的有(局部氧化)和(浅槽隔离),其英语缩略语

分别为LOCOS和(STI)。

15.列出热氧化物在硅片制造的4种用途:(掺杂阻挡)、(表面钝化)、

场氧化层和(金属层间介质)。