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一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法，通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构，优化器件关断状态下的栅极电场分布，从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证，引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构后，器件的关态电场分布得到了改善，关态电场的峰值下降了超过70％。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790557A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202310659873.2

    (22)申请日2023.06.06

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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