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2024-03-30 发布于四川
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一种半导体存储器件包括：衬底；在衬底上并在第一方向上延伸的位线；在位线上的第一和第二沟道图案，第二沟道图案在第一方向上与第一沟道图案间隔开；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，在第二方向上延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；在沟道图案上并且连接到第一或第二沟道图案的电容器；其中第一沟道图案和第二沟道图案包括依次在位线上的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案中的每

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117794241A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311278284.6

(22)申请日2023.09.28

(30)优先权数据

10-2022-0124094

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