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本发明公开了一种半导体器件、其制作方法及电子器件，包括衬底和漂移层，漂移层背离衬底的一侧表面设置有主结和场限环结构，任意相邻两个场限环结构在第一方向上具有间隙，沿着远离主结的方向，各相邻场限环结构之间的间隙逐渐增加。如此，掺杂区的深度可以随着与主结距离的增加越来越浅，能够将主结处的压降分配给各场限环结构，从而降低主结处的压降，降低主结处的电场应力，提高半导体器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790537A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311842844.6
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人深圳平湖实验室
地址51811
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