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本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，并具有暴露出所述第一半导体层的台面，第一电极位于台面上，电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层。第一电极包括第一接触电极和第一连接电极，第一接触电极直接接触第一半导体层，第一连接电极位于第一接触电极背离第一半导体层的一侧，至少部分第一连接电极未包覆第一接触电极。本发明通过设置第一接触电极不被第一连接电极全包覆，一方面可以增大第一接触电极面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790657A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311813088.4
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司
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