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本发明公开了一种存内异或运算单元，包括：包括：NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、PMOS管P1、PMOS管P2、反相器I1以及反相器I2；I1的输入端和I2的输出端连接于存储节点Q，I1的输出端与I2的输入端连接于存储点QB；N1和N2的栅极均连接字线WL，N1和N2的漏极分别连接至存储节点Q和存储节点QB，N1和N2的源极分别连接位线BL和位线BLB；P1的栅极、P2的源极、N4的源极以及N3的栅极均连接异或操作线A；P1的源极与P2的栅极均连接至存储节点Q；所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117785795A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311822333.8
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人中科南京智能技术研究院
地址2
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