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具有阶梯式欧姆金属的氮化镓HEMT器件及其制造方法.pdfVIP

具有阶梯式欧姆金属的氮化镓HEMT器件及其制造方法.pdf

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    本申请提供了具有阶梯式欧姆金属的氮化镓HEMT器件及其制造方法，包括异质结；形成在异质结上的栅电极；欧姆金属，所述欧姆金属包括形成在所述异质结上的本体、与所述本体连接并且朝向所述栅电极延伸的第一延伸部、与所述本体连接并且背离所述栅电极延伸的第二延伸部、向上或至少部分向上延伸的第三延伸部以及自所述第三延伸部的上端朝着背离所述本体的方向延伸的第四延伸部。本申请具有更紧凑的器件结构和更小的电阻，更优异的性能以及更好的栅电极可靠性的同时，可以具有更好的金属填充效果，更少的defect和更好的可靠性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790562A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311694898.2

    (22)申请日2023.12.11

    (71)申请人深圳镓楠半导体科技有限公司

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