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一种基于GaN/AlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，GaN层与AlScN层构成GaN/AlScN异质结。本发明还提供了其制备方法，本发明中，GaN/AlScN异质结界面处形成导带偏移和价带偏移，电子从AlScN扩散到GaN中，空穴从GaN扩散到AlScN中，在异质结界面处形成内建电场，当紫外光照射时，入射光被吸收并产生光生载流子，光生载流子在内建电场的作用下被扫至上下电极，在电路中产生光电流。由于AlScN的铁电性，其去除电场极化后仍保留退极化场，在极化状态下
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790604A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311825883.5
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人西安电子科技大学
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