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本发明提供一种光电探测器及其制备方法，通过在半导体外延结构的扩散区中先刻蚀形成图形化的沟槽，并在沟槽中选择性生长顶面为凹曲面的曲率型填充扩散层后，结合1次选择性扩散工艺，形成扩散层，避免进行2次或多次选择性扩散的工艺制程，简化工艺流程；在沟槽基础上进行选择性生长后再扩散，可结合刻蚀和选择性生长工艺同时控制扩散层曲率，无需刻蚀较深的台阶，使得沟槽刻蚀更易控制，且可使得扩散层曲率控制更精确，可对扩散层实现纳米级控制精度，获得较平滑的曲率线，以有效抑制边缘击穿；该方法可解决扩散深度不均匀以及扩散工艺控
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115207142A
(43)申请公布日2022.10.18
(21)申请号202210837369.2
(22)申请日2022.07.15
(71)申请人上海新微半导体有限
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