一种微型LED芯片及其制作方法.pdfVIP

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2024-03-30 发布于四川
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一种微型LED芯片及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的ITO复合层，ITO复合层包括层叠的ITO导电层和ITO掩蔽层，并刻蚀ITO复合层形成悬空结构，使ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于ITO导电层的侧向刻蚀深度，通过控制ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让ITO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经过刻蚀后的倾斜侧壁与ITO导电层具有一定的间距，避免搭边引起漏电问

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790658A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311837690.1

(22)申请日2023.12.28

(71)申请人厦门乾照光电股份有限公司

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