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2024-03-30 发布于四川
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一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：位于相邻的阱区之间的漂移层中的JFET区，JFET区包括第一JFET区和位于第一JFET区和阱区之间的第二JFET区，第一JFET区两侧的第二JFET区相互间隔设置，第二JFET区的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，第一JFET区的掺杂浓度小于漂移层的掺杂浓度，或者，第一JFET区呈电中性；第二JFET区具有在沟道区的长度方向上排布且相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与阱区的侧壁接触，第二侧壁与第一JFET区的侧壁接触，第二侧壁中的任意一点至第一侧

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790572A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311775124.2

(22)申请日2023.12.21

(71)申请人清纯半导体（宁波）有限公司

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