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2024-03-30 发布于四川
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一种SPAD器件结构及SPAD探测器.pdf

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一种SPAD器件结构及SPAD探测器。本申请通过一种SPAD器件结构，其特征在于，包括：P型衬底层、P型深阱区、有效吸收区、耗尽区、雪崩区、P阱区、PPLUS区、以及P型阻挡层；所述P型衬底层处于最下方，所述P型深阱区位于所述P型衬底层上方；所述有效吸收区位于所述P型深阱区上方；所述耗尽区位于所述有效吸收区上方；所述雪崩区位于所述耗尽区上方；所述P阱区位于所述SPAD器件两侧；所述PPLUS区位于所述阱区内；所述P型阻挡层位于所述有效吸收区上方，并位于所述耗尽区两侧。这样，可以阻止光生电子绕过雪

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790605A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202211157135.X

(22)申请日2022.09.22

(71)申请人宁波飞芯电子科技有限公司

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