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原位生长的钙钛矿纳米晶体薄膜及其制备方法.pdfVIP

原位生长的钙钛矿纳米晶体薄膜及其制备方法.pdf

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    本发明涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种原位生长的钙钛矿纳米晶体薄膜及其制备方法。方法包括：S1：将铅卤化物、有机卤化物和有机配体材料按比例溶于第一溶剂中，获得钙钛矿前驱体溶液：S2：将有机小分子或纳米晶材料按比例溶于第二溶剂中，获得反溶剂溶液；S3：在干净的衬底上滴加钙钛矿前驱体溶液，并在预定时刻向衬底旋涂滴加反溶剂溶液；S4：将旋涂完的衬底进行退火结晶处理，获得原位生长的钙钛矿纳米晶体薄膜。本发明通过在反溶剂溶液中添加不溶于钙钛矿前驱体溶液的有机小分子或纳米晶材料，并通过反溶剂溶液形成有机

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117794335A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311842102.3H10K85/50(2023.01)

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