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本发明公开了一种用于二维碲单晶的相工程调控方法。该方法包括以下步骤：选择拥有长梯度降温范围的管式炉，再通过两步气相沉积法(CVD)控制生长参数(包括温度，气体流速，保温时间)在单层二硫化钨(WS2)上生长碲单晶，其中，在第二步气相沉积中对气体流速的控制可得到所述的不同碲单晶相，实现相工程调控。利用原子簇密度和界面引导的多重控制策略，用于相和厚度控制合成α‑Te纳米片和β‑Te纳米带，得到不同相结构的二维高质量碲单晶。本发明得到的α‑Te纳米片表现出从金属到n型半导体的转变的电学特性，而β‑Te纳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117779190A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311855806.4
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人东南大学
地址211102
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