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本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明实施方式的基片处理方法包括：在保持基片(W)并使其旋转的状态下，向基片(W)的中央部供给SPM处理液，获取基片(W)的中央部的蚀刻量成为目标蚀刻量时基片(W)的径向的位置所对应的基准蚀刻量的步骤，其中，SPM处理液是硫酸和过氧化氢的混合液；和在使SPM处理液的供给位置从基片(W)的周缘部向基片(W)的中央部移动，对基片(W)进行利用SPM处理液的处理时，调节供给SPM处理液的供给喷嘴(42)的移动速度，以消除目标蚀刻量与基准蚀刻量之差的步骤。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117795653A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202280055799.7(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限
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