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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一导电类型的衬底，所述衬底具有第一面；在所述衬底内形成相对于所述第一面凹陷的初始沟槽；在所述初始沟槽的侧壁表面形成保护层；在所述初始沟槽底部两侧的衬底内形成存储掺杂区，所述存储掺杂区为第一导电类型，且所述存储掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度；在形成所述存储掺杂区之后，对所述初始沟槽底部进行刻蚀，在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽的底部低于所述存储掺杂区的底部。本技术方案提供的形成方法，可以在衬底的预期深度形成存储掺杂区。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790304A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202410021212.1

    (22)申请日2024.01.05

    (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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