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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在鳍式场效应晶体管包括的沟道区的材料包括锗的情况下，降低甚至消除沟道区内的晶格缺陷。所述半导体器件包括硅基衬底、浅槽隔离结构、鳍式场效应晶体管和缓冲结构。浅槽隔离结构形成在硅基衬底上，且用于将不同有源区隔离开。鳍式场效应晶体管形成在有源区上。鳍式场效应晶体管包括的沟道区的材料包括锗。缓冲结构位于鳍式场效应晶体管与有源区之间。沿硅基衬底的厚度方向，缓冲结构包括位于有源区上的第一锗层、以及交替层叠设置在第一锗层上的锗硅层和第二锗层。交替层叠
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790567A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311723090.2
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人北京信息科技大学
地址1022
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