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本发明公开了一种高密度埋置基板的加工方法及其结构，涉及有机基板加工技术领域。该方法包括：形成包含TSV芯片，TSV芯片的正面形成UBM，背面形成第一金属凸块；得到TSV圆片；形成TSV芯片；加工形成桥芯片；进行基板芯板层、芯板通孔层、布线层、盲孔层及绝缘层的加工；将TSV芯片倒装焊接至基板表面；正装桥芯片；通过包覆绝缘膜，将桥芯片与TSV芯片进行包覆保护；完成信号互联与双面焊盘端口引出，形成高密度埋置基板结构。通过TSV芯片厚度、桥芯片厚度、桥芯片铜柱厚度优化搭配，可实现不同厚度的TSV和桥芯片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790410A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311802245.1
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人无锡中微高科电子有限公司
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