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决定光学薄膜透明区之主要因素，为材料之能隙(energygap)及晶格振动能的吸收特性，通常外观可以呈现“透明：状态的材料，其价带电子能阶到导带电子能阶之能差△Eg一般都會很大，約3eV以上，故其传导电子数目很少，能隙的大小关系材料的透明区短波的极限(λs)，当波长小于λs时，电子会被光子激发跃迁而被吸收，此种吸收称为基本吸收(fundamentalabsorption)；而对于晶格振动之吸收，则是决定透明区长波的极限λL，若波长大于λL，光波会引发晶格振动而被吸收，此吸收又称为晶格振荡吸收(latticevibrationabsorption)，对于能隙很大的介电材料而言，其波长λs会落在紫外光区，因此，在可見光区及红外光区是透明的，甚至有些材料的波长λs更短，故在超紫外光仍是透明的﹞。

具“导电”特性的材料则意味着其传导电子数目很多，约1×1019个/cm3以上，因此，在自然界常见之透明材料大多为非导体。而透明电极材料就是少数同时兼具“透明性”和“导电性”，两种矛盾特性的特殊稀有材质，由于其独特之透光性及高红外线反射性光学性质，与良好导电性电性質，因此被广泛应用于众多不同领域，包括平面显示器﹝2﹞﹝3﹞、太阳能电池﹝4﹞及光电侦测器﹝5﹞等之透明电极上，亦可应用于透明加热元件、电磁波防护膜、抗静电膜等电子、光学及光电裝置上；其特殊的光学特性，在建筑或车用玻璃方面亦可应用于节省能源的热反射膜及防反光涂布等。其中特別以被采用当做平面显示器电极材料之应用最为重要且成功，一個优良的平面显示器透明电极材料必須具备下列五个基础特性:

在可见光波长范围内的透光率要高

电阻值愈低愈好，以降低Layout之阻抗差及提高讯号速度

加工性佳，容易以干或湿制程形成所需要之图案

与周围材料的匹配性、传导性，附著性和耐久性良好

能够形成大面积且材质均勻之薄膜

上列五项基础特性中，首先必须被考虑与探討的是薄膜之高光透过率与低电阻值，此两项特性为透明电极材料之最关键要求，而除了材料本身之特性差异，会左右薄膜之光透过率与电阻值外，事实上透明导电膜之成长方法对光透过率与电阻值之影响亦非常大，是決定透明导电膜性质的最重要因素

目前发展成熟的透明電极材料有ITO薄膜、SnO2薄膜、透明导电浆料等，

此外，另有氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)参杂(Doping)锑元素(Sb)和氧化锡镉(CdSnO)等，各种针对特殊需求与优点的透明电极材料亦被经常讨论，但当中仍以ITO透明导电薄膜之特性最佳，加工性最好，信赖性最稳定，因此于光电产业界被最普遍采用﹞。

下列为In2O3的导电性方程式:2In2O3→4In3++12e-+3O2

为Bixbyite的结晶休结构，归属于c-type稀土族类，为一內部缺陷电子传导型的半导体氧化物；所属的空间群为Ia3(number206)，晶格常数为10.117，其MO6八面体堆叠单位晶胞中共有80个原子。在晶格中，氧化铟类似于萤石结构(Fluorite)，当中阳离子(In3+)佔据了四面体的空隙位置(tetrahedralinterstitials)，阴离子(O2-)则据位于面心立方晶格点，如Fig2.4所示。Bixbyite晶体相似于MO8結构(晶格中阳离子和阴离子分別占据立方晶胞的中央及角落位置)，其中在晶格和晶格面的对角线方向都有阴离子的消失。阴离子的消失使得MO8结构退化成MO6八面体，并造成阳离子的偏移。即面心立方体中有3/4的四面体插入位置被阴离子(O2-)所填满，阴离子（In3+）则填满面心的位置。而氧的消失也造成在3/4位置产生扭曲更大，形成不对称的八面体，所以在莹石结构MO6八面体沿着1/4位置，氧原子消失处｛100｝平面上堆积。

ITO薄膜由In3+缺氧而产生了电子e-，和参杂的Sn4+离子在晶格內作置换，

因而产生了电子的施体(Donar)与载体(Carrier)，即提供了导电所需要之电子和电洞，因此其电传导机构属于半导体之导电机制，为一多晶结构材料，其結晶结构理论模型，詳如Fig2.4氧化銦(InO3)之結晶结构模型与Fig2.5ITO之离子结构示意图所示﹝17﹞。

ITO光学薄膜(In2O3)之吸收光谱波长350nm是属于紫外光范围，所谓吸收光谱波长为在价电子帶的电子往传导帶迁移，所需最小吸收光谱的能量波长，对于电浆所引起的电子浓度之波长，则属于近红外线范围。以上两个波长范围皆在可见光(380~780nm)之外，因此在可見光范围內很少吸收，而呈现透明

之特性。ITO薄膜是把5~10%wt的SnO2植入In2O3薄膜之中，一般采用溅镀法及真空蒸著法等制程來制作薄膜，成膜后透明電极