原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出了集成的辅助栅极端子(15)和下拉网络，以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极泄漏电流和增强的切换性能的常断(E‑模式)GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件(205)和低压辅助GaN器件(210)，其中高压GaN器件具有连接到集成辅助低压GaN晶体管的源极的栅极和为外部高压漏极端子的漏极以及为外部源极端子的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接到用作外部栅极端子的漏极(第二辅助电极)的栅极(第一辅助电极)。在其他实施例中，用于断
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111095531A
(43)申请公布日
2020.05.01
(21)申请号20188
文档评论（0）