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- 2024-04-03 发布于四川
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本发明公开了一种利用半导体的加工沟槽进行间隙填充的方法，包括如下步骤：步骤1)加工成型半导体,所述成型半导体上形成有多个沟槽；步骤2)在成型半导体的所述沟槽与沟槽之间的成型半导体上沉积聚合脂；步骤3)在成型半导体的沟槽内沉积Si，所述沉积Si逐渐填满沟槽；步骤4)将沟槽内的沉积Si在逐渐沉积并填满沟槽的过程中与水蒸气接触；步骤5)在沟槽内的沉积Si膨胀并氧化形成沉积SiO2，同时在沉积SiO2和沉积聚合脂的上表面形成有填充的膜，沉积SiO2、沉积聚合脂与填充的膜干涸后凝固成型为一体；步骤6)将整
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810061A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211163987.X
(22)申请日2022.09.23
(71)申请人成都高真科技有限公司
地址61
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