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本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810810A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410223666.7
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人山东省科学院激光研究所
地址2
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