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本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117802572A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311868680.4C30B29/36(2006.01)
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