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发明名称一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法摘要本发明涉及一种应用于电容去离子的应变型MXene/硒化钒的构筑方法。本发明的目的为解决MXene易堆叠和活性位点较少的问题，提供一种高吸附性能的应变型MXene/硒化钒的构筑方法。方法：以V2AlC、氢氟酸、硒粉为原料，采用刻蚀法、煅烧法和液氮淬冷法，得到具有高吸附性能的应变型MXene/硒化钒，为提高现有MXene基电容去离子性能材料提供了一种构筑方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117800337A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410018394.7
(22)申请日2024.01.05
(71)申请人齐齐哈尔大学
地址161006
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