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2024-04-03 发布于四川
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高压Micro-LED芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高压Micro‑LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括：提供第一外延片，依次形成第一N型电极、第一P型电极和第一键合层，刻蚀暴露第一N型电极和第一P型电极，得到第一中间体；提供第二外延片，依次形成中间电极和第二键合层，并刻蚀暴露中间电极，得到第二中间体；将第一中间体、第二中间体键合，并剥离第二衬底，得到中间芯片；在中间芯片上依次形成钝化层、第二N型电极和第二P型电极，剥离第一衬底，即得到高压Micro‑LED芯片成品。实施本发明，可制备得到工作电压高，发光效

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117810318A

(43)申请公布日2024.04.02

(21)申请号202410225325.3

(22)申请日2024.02.29

(71)申请人江西兆驰半导体有限公司

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