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本发明公开一种背接触电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,以提高背接触电池中背光面一侧的光线利用率和对准标记的识别精度,提升背接触电池的光电转换效率和良率。背接触电池包括硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。硅基底的背光面中,与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域,与第二掺杂半导体层对应的区域为第二区域,位于第一区域和与自身相邻的第二区域之间的区域为间隔区域。第二区域的表面相对于第一区域的表面向硅基底内凹入。间隔区域的表面相对于第二区域的表面向硅基底内凹入
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810276A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410232844.2
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人隆基绿能科技股份
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