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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅介质材料层和位于所述栅介质材料层表面的栅极材料层；对所述栅极材料层进行第一离子掺杂，所述第一离子掺杂采用的第一掺杂离子能够提高P型掺杂离子在所述栅极材料层内的分凝系数；对所述栅极材料层进行第二离子掺杂，所述第二离子掺杂采用的第二掺杂离子为P型掺杂离子。上述半导体结构及其形成方法能够避免栅极耗尽，提高半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108630535A

    (43)申请公布日

    2018.10.09

    (21)申请号20181

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