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氮化物半导体器件的形成工艺.pdfVIP

氮化物半导体器件的形成工艺.pdf

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    本发明公开了形成主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件的工艺。该工艺包括以下步骤：(a)在衬底上依次生长包括沟道层和阻挡层的半导体堆叠体，其中衬底上的沟道层由氮化镓(GaN)制成；(b)对阻挡层上的掩模进行图案化；(c)使用掩模对阻挡层的一部分和沟道层的一部分进行蚀刻，以在半导体堆叠体中形成凹槽；(d)使用氮气(N2)作为载气，在最高1000℃的温度下选择性地在凹槽内生长接触层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109390212A

    (43)申请公布日

    2019.02.26

    (21)申请号20181

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