原创力文档- 4
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- 2024-04-03 发布于四川
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本发明涉及一种蚀刻装置及控制方法。蚀刻装置利用离子源对晶圆进行轰击，蚀刻装置包括壳体、安装座、电路装置、感测装置及控制器。壳体内设置有反应腔。安装座设于反应腔内，安装座的顶部设有晶圆载盘，晶圆载盘的顶部设有用于容置晶圆的多个晶圆槽。电路装置包括相互电连接的可调电源及调整电路，调整电路在连通时产生电场，电场会使正离子受到电场力，排斥或吸引正离子朝向晶圆载盘轰击，从而调整等离子体与蚀刻膜层的反应速率。感测装置可感测晶圆载盘上安装的晶圆的数量。控制器根据感测装置感测到的晶圆数量，调节可调电源的输出电压
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810073A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211164475.5
(22)申请日2022.09.23
(71)申请人重庆康佳光电科技有限公司
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