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本发明公开了一种MIM电容及其制备方法，所述MIM电容包括电容，所述电容设在衬底的上方；所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板；电容中极板通过接地模块、背孔、背金与地相接，上下极板通过加电模块施加电压，参与电路匹配。由于上下两层电容为并联形式，MIM电容的的容值将显著增加。电容表面覆盖有复合钝化介质，有利于提升器件的击穿场强、耐湿、耐腐蚀特性。利用SiC材料的高击穿、高散热、低寄生等特性，在保持可靠性的基础上，MIM电容的容值、击穿电压、散热效果等得到大
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117812995A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311543254.3H01L29/16(2006.01)
(22)申请日2023.11.
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