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一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法，涉及聚酰亚胺材料技术领域，解决了现有聚酰亚胺薄膜介电性能无法满足高频应用的问题。本发明首先基于亲核取代反应，将螺双茚双酚中间体、硝基卤代化合物和碱金属化合物加入溶剂中，在惰性气氛下反应，一步法制备得到含醚键型螺双茚满二硝基化合物；再基于还原反应，将含醚键型螺双茚满二硝基化合物与还原体系和溶剂混合后，在惰性气氛下反应，一步法制备得到含醚键型螺双茚满二胺单体。并将其与商品化二酐进行聚合反应，制备出性能优异的高频低介电聚酰亚胺材料。本发明可用于3D封装、光学器件和集成电路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117801276A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410231305.7
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人中国科学院长春应
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