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提供了使用远程等离子体沉积渐变或多层的碳化硅膜的方法和装置。可以在反应室中在工艺条件下形成渐变或多层的碳化硅膜，所述工艺条件在衬底上提供一种或多种有机硅前体。从远程等离子体源向反应室提供处于实质上低能态的源气体的自由基，例如处于基态的氢自由基。另外，共反应气体流向反应室。在一些实现方式中，共反应气体的自由基从远程等离子体源提供到反应室中。共反应气体的流率可随时间的推移递增地或逐渐变化，以形成多层的碳化硅膜或渐变的碳化硅膜，其具有从渐变的碳化硅膜的第一表面到第二表面的组分梯度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109791871A
(43)申请公布日
2019.05.21
(21)申请号20178
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