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2024-04-03 发布于四川
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本公开提供了一种化学机械研磨方法，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：将晶圆置于研磨头正下方的研磨垫上；在所述晶圆表面与所述研磨垫之间加入流动的研磨液，以第一研磨参数研磨晶圆表面；除去在所述第一研磨参数下研磨时晶圆表面及研磨垫上生成的副产物；在所述晶圆表面与所述研磨垫之间加入流动的去离子水和研磨液，以第二研磨参数研磨所述晶圆表面；清洗所述晶圆表面并将所述晶圆从研磨垫上移开；其中，所述第一研磨参数与所述第二研磨参数包括研磨头压力、研磨头转速、研磨盘转速中的一种或多种；所述第二研磨参数小于所述第一研

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117798811A

(43)申请公布日2024.04.02

(21)申请号202311853488.8

(22)申请日2023.12.29

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

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