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一种半导体装置包含第一列主动区域、第二列主动区域及第一电源连通柱。第一列主动区域包含在第一方向上延伸的第一主动区域及在第一方向上延伸的第二主动区域。第一主动区域的每一者在第二方向上具有第一宽度，第二主动区域的每一者在第二方向上具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度。第二列主动区域位于第一列主动区域之上或之下，且包含在第一方向延伸的第三主动区域。第三主动区域的每一者在第二方向上具有第二宽度。第一电源连通柱在装置的晶体管层及装置的后侧金属层之间的第三方向上延伸，并位于第一列主动区域及第二列主动区域之间
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220710296U
(45)授权公告日2024.04.02
(21)申请号202321868310.6
(22)申请日2023.07.17
(30)优先权数据
17/819,4822022
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