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存储器阵列及存内计算电路.pdfVIP

存储器阵列及存内计算电路.pdf

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    本发明提供一种存储器阵列及存内计算电路，其中的存储器阵列包括呈阵列分布的存储单元，存储单元包括互补的第一存储结构和第二存储结构；其中，第一存储结构包括第一晶体管以及连接在第一晶体管的漏极上的第一存储器；第二存储结构包括第二晶体管以及连接在第二晶体管的漏极上的第二存储器；第一存储结构和第二存储结构之间相互隔离，且第一存储结构和第二存储结构呈中心对称。利用上述发明能够在晶体管栅宽/栅长(W/L)较小的情况下，消除存储器阵列非对称权重读取问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117809701A

    (43)申请公布日2024.04.02

    (21)申请号202311662692.1

    (22)申请日2023.12.06

    (71)申请人北京大学

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