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本发明涉及一种在读操作时纠正DRAM中存储阵列的错误的方法,其中所述存储阵列包括数据阵列和ECC阵列,所述方法包括:从所述存储阵列中读取数据;当该数据中含有错误数据位时,通过DRAM中的ECC解码和纠正模块对所述错误数据位进行纠正;仅仅将经纠正的错误数据位以及其位置寄存在一个寄存器中;该寄存器控制DRAM中的多个写驱动,以仅仅将经纠正的错误数据位写回到所述存储阵列。本发明还涉及一种DRAM。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN107195329A
(43)申请公布日
2017.09.22
(21)申请号20171
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