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本发明提供了一种半导体器件，包括衬底及位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括由下至上依次堆叠的第一接触层、倍增层、电荷层、吸收层及第二接触层；所述外延层中具有第一台阶和第二台阶，所述第一台阶从所述第二接触层延伸至所述吸收层内，所述第二台阶从所述第一台阶的底部延伸至所述第一接触层上。本发明中的半导体器件具有三级台阶，可以有效降低器件边缘电场强度，避免器件边缘被提前击穿并降低漏电流；并且，所述第一台阶的下台阶面与台阶侧面的交界处呈弧形，从而避免交界处电场集中，降低了边缘电场强度，达到进一步降低漏电流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810277A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410044401.0
(22)申请日2024.01.11
(71)申请人上海新微半导体有限公司
地址2
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