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本发明公开一种应力消除外延生长装置，在传片室、反应室之间的传输路径上增设消除应力室，碳化硅衬底经机械手从上下料室取出后，经传片室传递至消除应力室并在其内通过高温、低压和氮气氛围对晶格进行修复以进行应力消除处理，从消除应力室取出后再经传片室传递至反应室进行外延生长，不仅可以达到应力消除的目的，且不会影响外延生长的工艺条件，从而提高外延片浓厚度均匀性，提高外延片的质量，尤其适用于8英寸等大尺寸衬底的外延生长。本发明还公开一种应力消除外延生长方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117822102A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311866172.2C30B29/36(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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