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本发明公开一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，应用于半导体领域；解决的技术问题是半导体器件表面发生静电击穿，采用的技术方案是抗静电PVC保护膜，制备流程包括(S1)PVC在25℃下的四氢呋喃中溶解48小时，得到浓度为6％的PVC溶液；(S2)超声破碎仪通过频率为20kHz、振幅为40％的超声波在20℃下将石墨烯分散在10cm3的四氢呋喃中30分钟，得到均匀的石墨烯分散体；(S3)均化器以8000rpm的转速混合期间，将30cm3的PVC溶液添加到制备的石墨烯分散体中得到PVC/GN混合体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117818179A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202310172245.1B32B27/06(2006.01)
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