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本发明公开了一种激光光电探测器响应度控制方法，在激光光电探测器光敏芯片的芯片厚度、掺杂剂量、光敏面积一定的情况下，通过控制光敏芯片光敏面二氧化硅层的密度及厚度调整来实现响应度的最大值和最小值调整。本发明种，氧化层厚度控制容易，可根据用户需求调整产品响应度，在芯片制作过程中，根据产品需求生长必须的氧化层，探测器产品光敏面氧化层一般会超过400nm，保留下需要响应度对应厚度的氧化层即可。本发明方法控制方便，操作简单，不增加额外工艺过程。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832313A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311632643.3
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人西南技术物理研究所
地址610
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