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本发明公开了一种倒装LED芯片阵列及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括以下步骤：(1)将倒装LED芯片的衬底一侧固定到胶膜层上，得到芯片阵列；(2)将芯片阵列的焊盘焊接到封装基板的焊点上；剥离胶膜层，得到焊接阵列；(3)去除焊接阵列上倒装LED芯片的衬底和本征半导体层，得到第一中间阵列；(4)在第一中间阵列的相邻倒装LED芯片之间形成反射层，得到第二中间阵列；(5)在第二中间阵列远离封装基板一侧形成荧光层，即得到倒装LED芯片阵列成品。实施本发明，可提升倒装LED芯片阵列的亮度、良
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832339A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410019080.9H01L25/075(2006.01)
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