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本申请涉及光伏技术领域，提出了一种高钝化质量的n型TOPCon电池的制备方法，包括如下步骤：将N型硅晶片用混合溶液1浸泡后，冷却后用去离子水漂洗后晾干；将硅晶片处理后，得到氢化本征非晶硅层；在硅晶片的双面形成隧穿氧化层；在硅晶片正面形成第一poly层；将硅晶片沉积处理后，在硅晶片正面得到含碳的隧穿氧化硅层；将硅晶片正面沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到轻掺含磷poly硅层；将硅晶片正面通入混合气体3，沉积并退火处理后，在硅晶片正面得到重掺含磷含碳poly硅层；在硅晶片反面得到含磷的多晶硅层；在硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832328A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410056180.9
(22)申请日2024.01.15
(71)申请人宜宾英发德耀科技有限公司
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