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本发明公开了一种光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具制备及刻蚀方法，属于半导体材料原子及近原子尺度极端制造领域，该异质工具通过以下方式制备：以纳米级尖端半径的工具为基底，端沉积黏附层；在黏附层外构建均相掺杂异质结构光电催化薄膜或层状界面异质结构光电催化薄膜，进行热处理得到光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具。刻蚀时，通过光纤引入催化光源，辐照至催化工具表面调控其原子刻蚀效果。本发明依靠界面光电协同催化化学反应去除材料，不会产生亚表面缺陷损伤及裂纹，通过构建异质结构光电催化薄膜抑制电子空穴对复合，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117819473A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410245124.X
(22)申请日2024.03.05
(71)申请人浙江大学
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