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                本发明涉及硅片清洗技术领域,且公开了一种高纯氮气环境下的硅片清洗烘干系统及操作工艺,包括烘干机、桌腿和传送装置,桌腿顶部固定连接有底板,底板一侧固定连接有左板,底板另一侧固定连接有右板,右板顶部固定连接有顶板,右板通过顶板与左板固定连接,左板一侧设置有上料装置,上料装置共计两个,通过对上料装置中的试剂槽内放入清洗试剂,清洗试剂从入水柱中流向第三管道,由第三管道流向第二管道,从第二管道中流向第一管道,最后到达衔接块内部,通过第五转动轴上方的小孔流入到喷头处进行喷洒,当圆盘移动至第二喷洒装置处,将对
                    (19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117816685A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311753087.5
(22)申请日2023.12.20
(71)申请人浙江丽水中欣晶圆
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