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制备感光单元的工艺方法和感光单元以及图像传感器.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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制备感光单元的工艺方法和感光单元以及图像传感器.pdf

    本发明公开了一种制备感光单元的工艺方法和感光单元及图像传感器，其中，工艺方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的光生势阱区以第二导电类型的离子进行低浓度掺杂以形成光生电子势阱；以及，在所述衬底上制备浮空扩散区和晶体管。本发明的工艺方法、感光单元和图像传感器，通过降低钳位电压，减小势垒电容，提高扩散电容对于输出信号的控制作用，在原本势垒电容作用下应该饱和的光强下，扩散电容使输出信号继续增加，直到在更高的光强下饱和，输出信号可以在更宽的光强范围内有输出信号对应值，量化光强对输出信号的影响，增大

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832236A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202211198669.7

    (22)申请日2022.09.29

    (71)申请人比亚迪半导体股份有限公司

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