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本申请提供了一种超级背封加工方法，方法包括：对硅片进行CP腐蚀加工；对硅片进行边缘抛光加工；通过APCVD工艺对所述硅片进行加工，形成二氧化硅薄膜覆盖所述硅片的边缘；通过LPCVD工艺对所述硅片进行加工，形成多晶硅薄膜覆盖所述二氧化硅薄膜；对上述步骤形成的超级背封进行抛光加工。将边缘抛光工艺前移至CP腐蚀后和APCVD前，将薄膜沉积在经过抛光处理的光滑倒角面上，从而显著提高了薄膜的光滑度。这不仅解决了外延后边缘滑移线的问题，同时也有效防止了边缘自掺杂现象的发生，提高了器件的良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832072A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311811334.2
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人上海中欣晶圆半导体科技有限公司
地
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