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提升单晶硅尾部质量的方法.pdfVIP

提升单晶硅尾部质量的方法.pdf

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    本发明提供一种提升单晶硅尾部质量的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒尾部拉制结束后，将晶棒提断，以预定拉速将晶棒拉升至单晶炉隔离阀以上，同时迅速降温，以达到预定的冷却温度梯度；使得晶体尾部在完成后能迅速降温，避免过饱和的氧析出形成氧沉淀，进而避免滑移线、位错、层错的产生，然后再将晶棒冷却预定时间取出，使得晶棒的应力不会过大，避免晶棒破裂，进而晶棒等径后段靠近晶棒尾部处质量提高，电池片的转换效率高，进而晶棒的利用率提高。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117822114A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311812793.2

    (22)申请日2023.12.27

    (71)申请人宁夏申和新材料科技有限公司

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